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    PECVD

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    产品特点 1.成熟的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术；
    2.石墨舟电极技术：前电极面接触，可定期更换清洗电极块，尾电极炉管外可调，加大电极尺寸及优化电极材料，良好解决高频报警问题；
    3.快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
    4.专利储舟位并行散热方式：提升降温效果，缩短降温时间15%以上，同时避开底部从操作台前面进气，提高操作台内部洁净度；
    5.快速自适应压力闭环控制技术；
    6.等离子放电场检测技术；
    7.装卸片防撞舟技术；
    8.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
    9.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

    产品应用

    在硅片表面淀积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率，主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。

    产品参数

    项目技术指标
    成膜种类AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
    装片量768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
    氧化铝膜厚均匀性片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)
    氧化铝折射率1.65(±0.05)
    UP-TIME≥98%
    工作温度范围100~600℃
    温度控制9点控温，内外双模控制
    升温方式自动斜率升温及快速恒温功能
    降温方式最新专利技术，9温区分段控制主动降温炉体
    恒温区精度及长度±2°C/3200mm(500°C)
    单点温度稳定度<±1°C/4h(500°C)
    升温时间RT→450℃≤45min
    温度控制双模精确控制
    系统极限真空度<3Pa
    系统漏气率停泵关阀后压力升率<1Pa/min
    压力控制方式快速调整全自动闭环
    工艺控制方式工艺过程全自动控制，多重安全连锁报警
    人机交互界面LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
    MES/CCRM具有


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